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半導(dǎo)體光伏廢水深度除氟樹(shù)脂

更新時(shí)間:2024-07-10 點(diǎn)擊量:328
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  摘要:海普開(kāi)發(fā)的HP3600納米除氟吸附劑,這種樹(shù)脂對(duì)水體中的氟均具有高效的選擇性,已應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域含氟廢水的處理,為客戶提供了優(yōu)質(zhì)、高效的除氟解決方案。
 
  #半導(dǎo)體光伏廢水深度除氟樹(shù)脂 半導(dǎo)體作為各種高新技術(shù)飛速發(fā)展的基礎(chǔ),其重要性不言而喻。近十年來(lái),國(guó)家相繼推出多項(xiàng)政策鼓勵(lì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,然而,快速的發(fā)展過(guò)程也帶來(lái)了污染問(wèn)題。
 
  芯片生產(chǎn)廢水中的污染問(wèn)題一直未被重視,其中包括高氟廢水,刻蝕母液廢水中產(chǎn)生大量的氫氟酸,氟去除難度大,需要大量投加鈣離子。
 
  彩膜廢水具有色度高的特點(diǎn),有機(jī)物含有偶氮基、硫代羰基等發(fā)色基團(tuán)和羥基及?;戎鶊F(tuán),脫色困難,生化性差。含磷廢水中有機(jī)磷和無(wú)機(jī)磷的濃度高。此外還有重金屬銅廢水,對(duì)微生物毒害大。傳統(tǒng)的生化工藝難以實(shí)現(xiàn)較好的去除效果,需分類治理。
 
  針對(duì)于半導(dǎo)體芯片染料廢水中的氟廢水的處理較棘手,工業(yè)廢水氟離子的排放標(biāo)準(zhǔn)為10ppm,但是近年來(lái)地方標(biāo)準(zhǔn)氟離子的去除提升至地表四類水1.5ppm。進(jìn)水pH低且有機(jī)質(zhì)低,單一的生化或物化技術(shù)難以實(shí)現(xiàn)高氟廢水污染物的深度去除。
 
  現(xiàn)有技術(shù)通過(guò)鈣離子沉淀+絮凝沉淀可明顯降低出水氟,但是并不能深度去除氟離子,難以滿足日益嚴(yán)格的排放要求。因此亟需一種能對(duì)廢水實(shí)現(xiàn)深度、高效脫氟的工藝。
 
  傳統(tǒng)雙鈣法除氟工藝對(duì)氟的去處程度有限,不能滿足日益嚴(yán)格的廢水排放標(biāo)準(zhǔn)(出水低于1.5mg/L的深度除氟要求),因此,實(shí)現(xiàn)含氟廢水的高效深度凈化是實(shí)現(xiàn)清潔生產(chǎn)、綠色高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵問(wèn)題之一。
 
  海普開(kāi)發(fā)的HP3600納米除氟吸附劑,這種樹(shù)脂對(duì)水體中的氟均具有高效的選擇性,已應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域含氟廢水的處理,為客戶提供了優(yōu)質(zhì)、高效的除氟解決方案。
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  海普納米除氟吸附劑的主要優(yōu)勢(shì)有:
 
  選擇性強(qiáng):除氟樹(shù)脂對(duì)氟離子具有高度的選擇性,去除氟離子同時(shí)對(duì)其他陰離子和陽(yáng)離子具有較低的吸附能力;
 
  吸附容量大:該型樹(shù)脂具有較高的吸附容量,可以處理大量的含氟廢水,長(zhǎng)時(shí)間使用后仍能保持較高的吸附效率,使用壽命長(zhǎng);
 
  抗污染性強(qiáng):該型樹(shù)脂結(jié)構(gòu)及官能團(tuán)特殊,不易被污染物粘附;
 
  再生性強(qiáng):除氟樹(shù)脂可以脫附再生,避免了因廢棄而導(dǎo)致的環(huán)境污染和資源浪費(fèi)。
 

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